在 III-V 族化合物半導體 的世界裡，元件的最終效能其實早在進入最終測試之前，就已經被悄悄定調。無論是高速電子元件、效率卓越的光源，或是先進的光偵測器，這些材料從製程一開始就要求具備卓越的晶體品質。

在 外延、生長退火，或其他關鍵成長程序 之後立即進行早期檢測，是確保品質的關鍵一步。即使是在此階段產生的細微結構或表面缺陷，都可能在後續層次中逐步放大，最終影響到元件效率、壽命以及整體良率。

因此，現代 III-V 製造仰賴 快速且可靠的量測技術，以便在缺陷造成高額成本之前就及早偵測並分類。掌握製程初期出現的問題，是打造穩定、高效能元件的第一步。

隨著 III-V 元件結構日益複雜，製造商需要能夠 快速且穩定監控缺陷 的量測技術。其中，光激發螢光（Photoluminescence, PL）光譜技術 已成為最強大的工具之一。

PL 提供 非破壞、直接且高靈敏度 的量測方式，可在整片晶圓上偵測缺陷，非常適合用於化合物半導體製造中對外延層與基板的監控。

以下這個例子，使用 Semilab LumIR-2300 進行量測，清楚顯示 InP 外延晶圓中的 滑移線缺陷（slip lines） ——若未及早發現，這些缺陷將可能影響最終元件效能。
透過晶圓級 PL mapping，系統以多波長、高強度激發光源快速偵測滑移線，同時配合反射量測，有效區分顆粒與表面特徵，避免與真正的晶體缺陷混淆。

光激發螢光（PL）技術 能以高速、晶圓級方式解析 III-V 材料，並以無可比擬的靈敏度揭露關鍵缺陷，例如滑移線。基於此技術基礎，我們推出了新一代、專為製造導入而設計的量測設備 —— Semilab LumIR-2300。

LumIR-2300 專為 III-V 元件製程早期檢測 打造，提供快速、非破壞、全晶圓量測能力，協助製造商在缺陷影響良率之前就先行攔截。能夠在早期辨識結構與電子性缺陷，不僅能降低生產成本，更能確保先進電子與光電元件所需的高效能與高可靠度。

LumIR-2300 適用於 InP、GaAs、InGaAs 以及其他化合物半導體材料，支援晶圓尺寸最高至 150 mm，並以緊湊的設備架構設計呈現。與往常一樣，系統由我們全球的技術服務與應用支援團隊作為堅實後盾。