原子層沉積設備 ALD

 

產品分類：PLP面板級封裝設備/材料

廠商名稱：AREESYS

攤位號碼：M301

 

產品特色

 

1. 系統類型： 支援熱原子層沉積 (Thermal ALD)、電漿增強原子層沉積 (PEALD) 及超高真空原子層沉積 (UHV-ALD)。
2. 基板規格： 適用於 4/6/8/12 吋矽晶圓 (100/150/200/300mm) 或最大 500x500mm 之方型基板。
3. 製程溫度控制： 溫度範圍涵蓋室溫 (RT) 至 500°C。
4. 前驅物供應系統： * 最多支援 6 組前驅物輸送通道（支援固態及液態前驅物）。
5. 源瓶加熱系統：控溫範圍自室溫 (RT) 至 150°C。
6. 反應氣體配置： 支援 2 組獨立反應氣體 (Reactant) 通道。
7. 載流氣體： 標準配置為氮氣 (N2)，並採用質量流量控制器 (MFC) 精確控流。
8. 電漿源模組： * 支援 4 路電漿氣體輸入（具備客製化擴充彈性）。
9. 射頻 (RF) 功率範圍：0~1000W。
10. 壓力監控： 配備雙感應耐腐蝕薄膜壓力計 (Capacitance Manometer)，量測範圍為 0.005 Torr 至 1000 Torr。
11. 極限真空度： 真空底壓可達 5 x 10-3 至 10-7 Torr（視泵浦配置而定）。
12. 真空抽氣系統： 標準配置提供機械油泵或渦輪分子泵 (TMP) 方案。

 

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